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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置和处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010855272.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置和处理方法是由久保田绅治;青田雄嗣;舆水地盐设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体处理装置和处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源的控制部，生成源功率具有第一状态和第二状态，控制部进行控制，使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态，其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，控制部在至少基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。本发明能够控制离子能分布。

本发明授权等离子体处理装置和处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其包括： 载置基片的第一电极； 用于生成等离子体的等离子体生成源； 对所述第一电极供给偏置功率的偏置电源； 对所述等离子体生成源供给频率比所述偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和 控制所述偏置电源和所述生成源电源的控制部， 所述等离子体处理装置的特征在于： 所述生成源功率具有第一状态和第二状态， 所述控制部进行控制，使得与基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加所述第一状态和所述第二状态，其中所述基准电气状态表示与所述偏置功率的频率的周期同步的信号、或者在所述偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者， 并且，所述控制部在至少所述基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断， 所述控制部使将所述生成源功率控制为关断的时间在所述生成源功率接通时生成的离子密度在规定以上的时间以下， 所述控制部使所述生成源功率的接通和关断的周期为所述偏置功率的频率的周期的2倍，并且在所述基准电气状态的一个周期内的相位的负峰值时将生成源功率控制为关断。

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