三星电子株式会社黄斗熙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及操作半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010543803.7，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权半导体器件及操作半导体器件的方法是由黄斗熙;金泰勋;裵敏敬;禹明勋;李奉镕设计研发完成，并于2020-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及操作半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件及操作半导体器件的方法。所述半导体器件包括源极层、多个沟道结构、多个栅电极和公共源极线。所述多个栅电极中的至少一个栅电极提供GIDL线。在擦除操作期间，施加到所述公共源极线的擦除电压达到目标电压，并且在所述擦除电压达到所述目标电压之后，将阶跃增量电压增加到所述擦除电压，使得所述擦除电压的电压电平高于所述目标电压的电压电平。在所需时间段内已经增加了所述阶跃增量电压之后，在所述擦除操作的剩余操作中，所述擦除电压的电压电平减小到所述目标电压的电压电平。
本发明授权半导体器件及操作半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 位于衬底上的源极层； 位于所述衬底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构均包括垂直绝缘层和垂直沟道层，所述多个沟道结构在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸； 位于所述源极层上并且在所述多个沟道结构中的每个沟道结构的侧壁上沿所述第一方向彼此间隔开的多个栅电极，所述多个栅电极中的至少一个栅电极被配置为提供栅极感应漏极泄漏线； 穿透所述多个栅电极的公共源极线，所述公共源极线沿所述第一方向延伸并且电连接到所述源极层；以及 存储控制器，所述存储控制器被配置为：在擦除操作期间， 向所述公共源极线施加擦除电压，直到所述擦除电压达到目标电压， 在所述擦除电压达到所述目标电压之后的所需阶跃式升压时段内，使所述擦除电压增大到电压电平高于所述目标电压的电压电平的所需阶跃式升压电压，并且 在经过了所述所需阶跃式升压时段之后，使所述擦除电压减小到所述目标电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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