恩智浦美国有限公司尼哈·N·马哈特梅获国家专利权
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龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010433315.0，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测是由尼哈·N·马哈特梅;梅休尔·D·什罗夫设计研发完成，并于2020-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测在说明书摘要公布了：一种集成电路包括具有多个MRAM单元的磁阻RAMMRAM阵列以及一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器。所述集成电路还包括磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示。所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出。
本发明授权磁随机存取存储器(MRAM)中的磁攻击检测在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括： 磁阻随机存取存储器MRAM阵列，所述MRAM阵列包括多个MRAM单元； 一组至少一个霍尔传感器电路，所述组中的每个霍尔传感器电路包括用于检测磁场的霍尔传感器； 磁处理电路系统，所述磁处理电路系统用于接收来自所述组至少一个霍尔传感器电路的至少一个指示，其中所述磁处理电路系统包括用于基于来自所述组的所述至少一个指示提供对所述MRAM阵列的可能磁场威胁的指示的输出； 其中所述指示基于检测到磁场至少在第一预定时间量内处于阈值幅度；以及其中 所述磁处理电路系统提供对可能磁场威胁的第二指示，所述第二指示基于磁场至少在第二预定时间量内处于第二阈值幅度，其中所述第二阈值幅度大于所述阈值幅度，并且所述第二预定时间量小于所述第一预定时间量。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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