三星电子株式会社尹壮根获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111883534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010141802.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件是由尹壮根;李载悳设计研发完成，并于2020-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，包括存储器单元区域和连接区域；多个栅电极，堆叠在基底上；沟道结构，在存储器单元区域中穿透多个栅电极并且包括在垂直于基底的上表面的垂直方向上延伸的沟道层；虚设沟道结构，在连接区域中穿透多个栅电极并且包括在垂直方向上延伸的虚设沟道层；第一半导体层，设置在基底与多个栅电极中的最下面的栅电极之间并且在存储器单元区域中围绕沟道结构；以及绝缘分离结构，设置在基底与多个栅电极中的最下面的栅电极之间并且围绕虚设沟道层。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 基底，包括存储器单元区域和连接区域； 多个栅电极，堆叠在基底上； 沟道结构，设置在存储器单元区域中并穿透所述多个栅电极，沟道结构包括在垂直于基底的上表面的垂直方向上延伸的沟道层； 虚设沟道结构，设置在连接区域中并穿透所述多个栅电极，虚设沟道结构包括在垂直方向上延伸的虚设沟道层； 第一半导体层，设置在存储器单元区域中并设置在基底与所述多个栅电极中的最下面的栅电极之间，第一半导体层至少部分地围绕沟道结构；以及 绝缘分离结构，设置在基底与所述多个栅电极中的最下面的栅电极之间，并且至少部分地围绕虚设沟道层， 其中，绝缘分离结构包括： 第一绝缘层，设置在基底上； 第二绝缘层，设置在第一绝缘层上；以及 蚀刻停止层，覆盖第一绝缘层的侧壁和第二绝缘层的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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