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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111834358B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010167105.1，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体集成电路是由山路将晴设计研发完成，并于2020-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体集成电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种在将HVJT的一部分用作电平变换元件的HVIC中能够在抑制芯片面积增大的同时提高ESD耐受量的半导体集成电路。一种半导体集成电路，是高电位侧电路区101、包围高电位侧电路区101的高耐压结终端构造102以及隔着高耐压结终端构造102包围高电位侧电路区101的低电位侧电路区103集成于同一半导体芯片的半导体集成电路，其中，形成第一接触区11的区域处的环状阱区5与埋入层13之间的第一距离L11比形成载体接收区7a、7b的区域处的环状阱区5与埋入层6之间的第二距离L12短，该载体接收区7a、7b是在低电位侧电路区103与高电位侧电路区101之间传递信号的电平移位电路中包括的电平变换元件10a、10b的载体接收区。

本发明授权半导体集成电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路，是高电位侧电路区、包围该高电位侧电路区的高耐压结终端构造以及隔着该高耐压结终端构造包围所述高电位侧电路区的低电位侧电路区集成于同一半导体芯片的半导体集成电路，所述半导体集成电路的特征在于，具备： 第一导电型的中央阱区，其配置于所述高电位侧电路区； 第一导电型的埋入层，其埋入于所述中央阱区的下端，并且具有比所述中央阱区高的杂质浓度； 第一导电型的环状的漂移区，其配置于所述高耐压结终端构造的包围所述中央阱区的周围的位置； 第二导电型的环状阱区，其包围所述漂移区的周围； 第一导电型的载体供给区，其配置于所述环状阱区，是在所述低电位侧电路区与所述高电位侧电路区之间传递信号的电平移位电路中包括的电平变换元件的载体供给区； 第一导电型的载体接收区，其配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高，是所述电平变换元件的载体接收区；以及 第一导电型的第一接触区，其与所述载体接收区分离地配置于所述漂移区或所述中央阱区，杂质浓度比所述漂移区或所述中央阱区的杂质浓度高， 其中，形成所述第一接触区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第一距离中的最小值比形成所述载体接收区的区域处的所述环状阱区与所述埋入层之间的第二距离中的最小值短， 其中，形成所述第一接触区的区域处的所述漂移区的长度与形成所述载体接收区的区域处的所述漂移区的长度相同。

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