深圳市优纳瑞半导体有限公司项继超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市优纳瑞半导体有限公司申请的专利一种低内阻MOS封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054792U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520767837.2，技术领域涉及：H10W72/00；该实用新型一种低内阻MOS封装结构是由项继超;付建峰;甘増荣设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低内阻MOS封装结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种低内阻MOS封装结构，属于集成电路领域，其包括基板和MOS芯片，所述基板的顶部对称固定安装有四个接触电极，所述基板的顶部对称开设有四个插孔，所述MOS芯片的外侧对称固定安装有四个引脚，所述基板的内壁滑动插接有凸条，所述凸条的底部固定安装有传导板，所述传导板的底部安装有两个散热板，且两个散热板的外侧安装有固定板；通过设置基板、接触电极和MOS芯片使得电流通过接触电极从MOS芯片流向基板，由于接触电极的低电阻特性，减少了能量损耗，显著降低了MOS芯片结构的接触电阻，提高了电流承载能力。
本实用新型一种低内阻MOS封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低内阻MOS封装结构，包括基板1和MOS芯片4，其特征在于，所述基板1的顶部对称固定安装有四个接触电极2，所述基板1的顶部对称开设有四个插孔3，所述MOS芯片4的外侧对称固定安装有四个引脚5，所述基板1的内壁滑动插接有凸条6，所述凸条6的底部固定安装有传导板7，所述传导板7的底部安装有两个散热板8，且两个散热板8的外侧安装有固定板9。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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