台湾积体电路制造股份有限公司潘冠忠获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054789U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520523387.2，技术领域涉及：H10W70/62；该实用新型半导体装置是由潘冠忠;何明哲;郭宏瑞;邓博元;苏安治设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例的垂直堆叠半导体装置包括位于多个凸块结构下方的中间重布线路层接垫。中间重布线路层接垫位于第一半导体衬底和多个凸块结构之间。凸块结构包括金属层和位于金属层与中间重布线路层接垫之间的具有较低焊料润湿性的阻挡层。阻挡层可限制沿着凸块结构的侧壁的焊料润湿，以最小化焊料桥接和其他缺陷。在一些实施例中，中间重布线路层接垫可以具有相对低的焊料润湿性，以最小化焊料缺陷。可控制中间重布线路层接垫和凸块结构的特性以改善凸块结构的平坦度特性。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一装置结构，包括： 第一半导体衬底； 中间重布线路层接垫；以及 多个凸块结构，与所述中间重布线路层接垫电连接，其中所述中间重布线路层接垫位于所述第一半导体衬底和所述多个凸块结构之间，所述多个凸块结构中的每一个包括： 金属层；以及 阻挡层，其中所述阻挡层位于所述金属层与所述中间重布线路层接垫之间，且所述金属层的焊料润湿性大于所述阻挡层的焊料润湿性； 第二装置结构，包括第二半导体衬底和多个第二接合结构；以及 多个焊料接点，位于所述第一装置结构的所述多个凸块结构的所述金属层和所述第二装置结构的所述多个第二接合结构之间。
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