青岛佳恩半导体有限公司杨玉珍获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种GaN芯片的双面散热模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054778U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520629276.X，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种GaN芯片的双面散热模块封装结构是由杨玉珍;王丕龙;王新强;吴洪基设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN芯片的双面散热模块封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种GaN芯片的双面散热模块封装结构，属于模块封装技术领域，该GaN芯片的双面散热模块封装结构包括：散热基板、上导热盖板、侧壁支撑架、固定压紧组件和导热界面层；所述散热基板呈矩形平板状，上表面中部设有凹槽用于安装GaN芯片；所述上导热盖板呈矩形平板状且与所述散热基板平行设置，所述上导热盖板下表面中部设有凸台结构，所述凸台结构与所述散热基板上的凹槽相对应；所述侧壁支撑架环绕在所述散热基板与所述上导热盖板之间形成封闭腔体；所述固定压紧组件包括四根螺柱和四个压紧弹簧；本实用新型能够解决现有的GaN芯片封装存在的散热效率低下的问题。
本实用新型一种GaN芯片的双面散热模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种GaN芯片的双面散热模块封装结构，其特征在于，包括：散热基板、上导热盖板、侧壁支撑架、固定压紧组件和导热界面层；所述散热基板呈矩形平板状，上表面中部设有凹槽用于安装GaN芯片；所述上导热盖板呈矩形平板状且与所述散热基板平行设置，所述上导热盖板下表面中部设有凸台结构，所述凸台结构与所述散热基板上的凹槽相对应；所述侧壁支撑架环绕在所述散热基板与所述上导热盖板之间形成封闭腔体；所述固定压紧组件包括四根螺柱和四个压紧弹簧，所述四根螺柱分别位于所述散热基板四角并垂直穿过所述上导热盖板的对应四角处开设的通孔，所述四个压紧弹簧套设于所述四根螺柱上并位于所述上导热盖板上表面，且通过螺母对所述上导热盖板施加向下的压力；所述导热界面层设置在所述凸台结构下表面与GaN芯片上表面之间，用于提高热传导效率。
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