无锡市捷瑞微电子有限公司毛昊源获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市捷瑞微电子有限公司申请的专利一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054777U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520605702.6，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构是由毛昊源;毛立平;谢君;黄智雁设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，涉及MOSFET芯片DFN封装技术领域，包括MOSFET芯片DFN封装本体，MOSFET芯片DFN封装本体顶部通过安装架设置网格板，网格板位于MOSFET芯片DFN封装本体散热口处，安装架内部通过滑杆设置第一滑板以及第一插杆，网格板上设置与第一插杆配合使用的插孔，滑杆外侧还套设有第一弹簧，第一弹簧一端与第一滑板连接，第一弹簧另一端与空腔内壁连接，安装架上还滑动设置防尘板。本实用新型在网格板与插杆的作用下，实现了对散热口的有效保护，网格板能够防止灰尘堵塞散热口，保证散热效率，同时插杆机构使得网格板能够方便快捷地安装与拆卸，便于清洁与维护，从而延长了MOSFET芯片的使用寿命。
本实用新型一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，包括MOSFET芯片DFN封装本体1，其特征在于，所述MOSFET芯片DFN封装本体1顶部设置有安装架2，安装架2上设置有网格板3，网格板3位于MOSFET芯片DFN封装本体1散热口处，所述安装架2内部还均匀设置有若干空腔，空腔中设置有滑杆4，滑杆4上滑动设置有第一滑板5，第一滑板5侧壁上设置有第一插杆6，所述网格板3上设置有与第一插杆6配合使用的插孔，所述滑杆4外侧还套设有第一弹簧7，第一弹簧7一端与第一滑板5连接，所述第一弹簧7另一端与空腔内壁连接，所述安装架2上还滑动设置有防尘板9。
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