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龙图腾网获悉青岛云联智享信息技术有限公司申请的专利半导体测试结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054772U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520711457.7，技术领域涉及：H10P74/20；该实用新型半导体测试结构是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体测试结构，包括：至少两条第一有源区，位于衬底中；至少一条第一栅极结构，从至少两条第一有源区上延伸至第一有源区外围的衬底上；在至少一条第一栅极结构与所述两条第一有源区的多个相交区域中，其中一个相交区域的第一栅极结构为一待测下拉晶体管的第一栅极，第一栅极两侧的第一有源区分别为待测下拉晶体管的第一源漏极区和第二源漏极区，其他相交区域的第一栅极结构为至少一个辅助下拉晶体管的第二栅极；第一金属互连结构电连接第一源漏极区，第二金属互连结构电连接第二源漏极区，第三金属互连结构电连接第一栅极和第二栅极。本实用新型使得待测下拉晶体管的栅极反型漏电流的测试结果更加准确。

本实用新型半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 衬底； 至少两条第一有源区，位于所述衬底中，所述至少两条第一有源区在第一方向延伸且在第二方向间隔排布； 至少一条第一栅极结构，从所述至少两条第一有源区上延伸至所述第一有源区外围的所述衬底上，所述至少一条第一栅极结构在所述第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向不同；在所述至少一条第一栅极结构与所述至少两条第一有源区的多个相交区域中，其中一个所述相交区域的所述第一栅极结构为一待测下拉晶体管的第一栅极，所述第一栅极两侧的所述第一有源区分别为所述待测下拉晶体管的第一源漏极区和第二源漏极区，其他所述相交区域的所述第一栅极结构为至少一个辅助下拉晶体管的第二栅极； 第一金属互连结构、第二金属互连结构和第三金属互连结构，所述第一金属互连结构电连接所述第一源漏极区，所述第二金属互连结构电连接所述第二源漏极区，所述第三金属互连结构电连接所述第一栅极和所述至少一个辅助下拉晶体管的所述第二栅极。

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