西安迈驰半导体科技有限公司张彪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种双向ESD保护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054696U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520777497.1，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种双向ESD保护器件是由张彪;张关保;贺健民;王康设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向ESD保护器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及ESD保护器件，具体涉及一种双向ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底的上下表面上均设有P+扩区，P+扩区和P型衬底的表面上设有第一N+扩区；位于P型衬底的上下表面上的第一N+扩区的位置对称；所述P+扩区上设有第二N+扩区；所述P+扩区上和第二N+扩区上设有氧化层，位于P型衬底上表面上的氧化层顶部设有正极金属层，位于P型衬底下表面上的氧化层底部设有负极金属层；正极金属层的下表面与第一N+扩区、P+扩区、第二N+扩区接触；负极金属层的上表面与第一N+扩区、P+扩区、第二N+扩区接触。本实用新型能够在保障小型化封装的同时，有效提高浪涌保护能力。
本实用新型一种双向ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.一种双向ESD保护器件，其特征在于：包括P型衬底1，P型衬底1的上下表面上均设有P+扩区2，P+扩区2和P型衬底1的表面上设有第一N+扩区3；位于P型衬底1的上下表面上的第一N+扩区3的位置对称； 所述P+扩区2上设有第二N+扩区4； 所述P+扩区2上和第二N+扩区4上设有氧化层5，位于P型衬底1上表面上的氧化层5顶部设有正极金属层6，位于P型衬底1下表面上的氧化层5底部设有负极金属层7； 正极金属层6的下表面与第一N+扩区3、P+扩区2、第二N+扩区4接触； 负极金属层7的上表面与第一N+扩区3、P+扩区2、第二N+扩区4接触。
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