海南航芯高科技产业集团有限责任公司马玉林获国家专利权
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龙图腾网获悉海南航芯高科技产业集团有限责任公司申请的专利具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054693U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520440663.9，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块是由马玉林;郑太和;王玉定;王忠伟;付小雷;陈斐彰;严大生设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块，包括一个或多个芯片组、散热板、铺设于所述散热板上的导电片、CLIP结构和输出端子，所述芯片组焊接于所述导电片上，且每一所述芯片组包括IGBT芯片、MOSFET芯片和二极管芯片，所述CLIP结构为铜条弯折件且包括至少两个通过锡膏焊接在芯片组的电极、导电片、输出端子其中至少两个之上的焊接部，以及连接至少两个所述焊接部的连接部，以使所述CLIP结构电连接所述芯片组的电极、导电片和输出端子，并将每组所述芯片组中所述IGBT芯片、MOSFET芯片并联。与现有技术相比，本实用新型散热效果好，且可承受更大电流。
本实用新型具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块在权利要求书中公布了：1.一种具有混合芯片结构的大电流功率半导体模块，其特征在于：包括一个或多个芯片组、散热板、铺设于所述散热板上的导电片、CLIP结构和输出端子，所述芯片组焊接于所述导电片上，且每一所述芯片组包括IGBT芯片、MOSFET芯片和二极管芯片，所述CLIP结构为铜条弯折件且包括至少两个通过锡膏焊接在芯片组的电极、导电片、输出端子其中至少两个之上的焊接部，以及连接至少两个所述焊接部的连接部，以使所述CLIP结构电连接所述芯片组的电极、导电片和输出端子，并将每组所述芯片组中所述IGBT芯片、MOSFET芯片并联。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人海南航芯高科技产业集团有限责任公司，其通讯地址为：570100 海南省海口市琼山区滨江街道办琼州大道21号琼山区商务局办公楼三楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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