无锡旷通半导体有限公司廖巍获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡旷通半导体有限公司申请的专利高浪涌MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054689U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520353053.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型高浪涌MOS器件是由廖巍;何军设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本高浪涌MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种高浪涌MOS器件，其包括栅极结构、第二导电类型体区、第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区，栅极结构至少设置有两个，第二导电类型体区设置在两个栅极结构之间，多个第一导电类型第一源区沿第一方向排布设置，多个第一导电类型第二源区沿第一方向排布设置，第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区在第二方向上处于不同位置，第一导电类型第一源区和第二导电类型第二源区沿第一方向依次交错设置，第一导电类型第一源区和相邻的第一导电类型第二源区连接，本实用新型具有显著的增加MOS器件中第二导电类型体区的结面积，进而有效的增加PN结的结面积，有效增强MOS器件的抗浪涌能力的效果。
本实用新型高浪涌MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种高浪涌MOS器件，其特征在于，包括： 栅极结构，至少设置有两个； 第二导电类型体区，设置在两个栅极结构之间； 第一导电类型第一源区，设置在第二导电类型体区内并且设置有多个； 第一导电类型第二源区，设置在第二导电类型体区内并且设置有多个； 多个所述第一导电类型第一源区沿第一方向排布设置，多个所述第一导电类型第二源区沿第一方向排布设置，所述第一导电类型第一源区和所述第一导电类型第二源区在第二方向上处于不同位置，所述第一导电类型第一源区和所述第二导电类型第二源区沿第一方向依次交错设置，所述第一导电类型第一源区和相邻的第一导电类型第二源区连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡旷通半导体有限公司，其通讯地址为：214111 江苏省无锡市新吴区弘毅路11-6号研发楼301单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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