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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利具有内置镇流电阻的IGBT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224054686U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520041444.3，技术领域涉及：H10D12/00；该实用新型具有内置镇流电阻的IGBT器件是由田甜;张伟;廖光朝设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有内置镇流电阻的IGBT器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率半导体技术领域，尤其涉及具有内置镇流电阻的IGBT器件，包括包括沟槽区和N+型源区、多晶硅区和接触孔区，多个N+型源区和多晶硅区沿着沟槽区长度的方向间隔交替设置，接触孔区位于N+型源区内部；沿着IGBT器件厚度的方向，IGBT器件依次包括集电极金属层、P+衬底和N‑衬底，N‑衬底上对应沟槽区刻蚀形成有深槽；深槽相对两侧的N‑衬底上均形成有交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的位置与N+型源区相对应，第二掺杂区的位置与多晶硅区相对应；第一掺杂区的顶端具有N+阱区，第二掺杂区的顶端具有第二N‑阱区。本实用新型的IGBT器件，能够获得更大的正温度系数，且常温下对IGBT器件的导通压降VCESAT影响不大。

本实用新型具有内置镇流电阻的IGBT器件在权利要求书中公布了：1.具有内置镇流电阻的IGBT器件，其特征在于，包括多个沟槽区，以及设置在每相邻两个所述沟槽区之间的N+型源区、多晶硅区和接触孔区，所述N+型源区、多晶硅区和接触孔区均至少设置有两个，多个所述N+型源区和多晶硅区沿着第一方向间隔交替设置，所述接触孔区位于N+型源区内部，所述第一方向为沿着沟槽区长度的方向； 沿着第二方向，所述IGBT器件依次包括集电极金属层、P+衬底和N-衬底，所述N-衬底上对应沟槽区刻蚀形成有深槽，所述第二方向为沿着IGBT器件厚度的方向；所述深槽相对两侧的N-衬底上均形成有交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的位置与N+型源区相对应，所述第二掺杂区的位置与多晶硅区相对应；所述第一掺杂区的顶端具有N+阱区，所述第二掺杂区的顶端具有第二N-阱区； 所述第一掺杂区包括在N-衬底上依次形成的P-阱区、第一N-阱区和N+阱区，所述N+阱区在第一N-阱区上的结深尺寸为0.2～0.25微米。

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