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杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院王宏宇获国家专利权

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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈和立方体磁屏蔽装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224052951U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520382130.X,技术领域涉及:H01F13/00;该实用新型适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈和立方体磁屏蔽装置是由王宏宇;翟依梦;练云扬;周吉强;郑越;姚科安设计研发完成,并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈和立方体磁屏蔽装置在说明书摘要公布了:本实用新型提出一种适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈和立方体磁屏蔽装置,主动消磁线圈的多个消磁走线孔分布在各侧面,第一绕组组件、第二绕组组件和第三绕组组件串联成连通线缆,连通线缆被配置为外接供电设备,连通线缆经消磁走线孔穿入立方体磁屏蔽装置的部分在立方体磁屏蔽装置的内表面形成内部走线,连通线缆经消磁走线孔穿出立方体磁屏蔽装置的部分在立方体磁屏蔽装置的外表面形成外部走线,前侧绕组、左侧绕组、后侧绕组、右侧绕组、上侧绕组和下侧绕组中的每个绕组均由绕组所在侧面的内部走线和外部走线组成。本方案结合了平行分布式线圈与斜边式线圈,既能够降低安装复杂程度,还可获得更优质的磁路分布,达到提升消磁效果的目的。

本实用新型适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈和立方体磁屏蔽装置在权利要求书中公布了:1.一种适用于立方体磁屏蔽装置的主动消磁线圈,其特征在于,包括: 第一绕组组件,包括前侧绕组和左侧绕组,所述前侧绕组和所述左侧绕组分别绕设在所述立方体磁屏蔽装置的前侧面和左侧面,平行于所述立方体磁屏蔽装置的上侧面; 第二绕组组件,包括后侧绕组和右侧绕组,所述后侧绕组和所述右侧绕组分别绕设在所述立方体磁屏蔽装置的后侧面和右侧面,平行于所述立方体磁屏蔽装置的上侧面; 第三绕组组件,包括上侧绕组和下侧绕组,所述上侧绕组和所述下侧绕组分别绕设在所述立方体磁屏蔽装置的上侧面和下侧面,分别沿所述上侧面的对角线和所述下侧面的对角线布置; 多个消磁走线孔,分布在所述前侧面、所述左侧面、所述后侧面、所述右侧面、所述上侧面和所述下侧面,所述第一绕组组件、所述第二绕组组件和所述第三绕组组件串联成连通线缆,所述连通线缆被配置为外接供电设备,以及, 所述连通线缆经所述消磁走线孔穿入所述立方体磁屏蔽装置的部分在所述立方体磁屏蔽装置的内表面形成内部走线,所述连通线缆经所述消磁走线孔穿出所述立方体磁屏蔽装置的部分在所述立方体磁屏蔽装置的外表面形成外部走线,所述前侧绕组、所述左侧绕组、所述后侧绕组、所述右侧绕组、所述上侧绕组和所述下侧绕组中的每个绕组均由所述绕组所在侧面的内部走线和外部走线组成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院,其通讯地址为:310051 浙江省杭州市滨江区滨安路465号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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