深圳矽速科技有限公司吴才泽获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳矽速科技有限公司申请的专利一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224052584U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521097369.9，技术领域涉及：G05F3/26；该实用新型一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路是由吴才泽;纪亚萍;潘飞宇设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路，包括：第一PMOS场效应管和比较器；第一PMOS场效应管的电流输入端与比较器的第一输入端连接；第一PMOS场效应管的电流输出端与比较器的第二输入端连接；第一PMOS场效应管的栅极与比较器的输出端连接；外部直流电信号输入至第一PMOS场效应管的电流输入端；当比较器的第一输入端电压高于比较器的第二输入端电压时，比较器的导通控制信号传输至第一PMOS场效应管，第一PMOS场效应管的电流输出端输出直流电信号。通过P沟道增强型MOSFET和比较器组合实现ORING电路，不需要引入BIAS电压，从而简化电路。
本实用新型一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路在权利要求书中公布了：1.一种基于PMOS场效应管的电流镜ORING电路，其特征在于，包括：第一PMOS场效应管和比较器； 所述第一PMOS场效应管的电流输入端与所述比较器的第一输入端连接；所述第一PMOS场效应管的电流输出端与所述比较器的第二输入端连接；所述第一PMOS场效应管的栅极与所述比较器的输出端连接； 外部直流电信号输入至所述第一PMOS场效应管的电流输入端； 当所述比较器的第一输入端电压高于所述比较器的第二输入端电压时，所述比较器的导通控制信号传输至所述第一PMOS场效应管，所述第一PMOS场效应管的电流输出端输出直流电信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳矽速科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道永丰社区新湖路4008号蘅芳科技大厦2101C1-2101C3；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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