甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利晶圆沉积装置和晶圆沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224047505U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520629583.8，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型晶圆沉积装置和晶圆沉积设备是由何正鸿;郑陈苗;俞泽钦;王新;施黄竣元设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆沉积装置和晶圆沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种晶圆沉积装置和晶圆沉积设备，涉及半导体技术领域，该晶圆沉积装置包括晶圆放置平台和旋转遮挡盖，晶圆放置平台上设置有用于容纳晶圆的放置槽，旋转遮挡盖可转动地装配在晶圆放置平台上，并盖设于放置槽，旋转遮挡盖的顶侧设置有贯通至放置槽的沉积气口，晶圆放置平台上还设置有贯通至放置槽的流通气孔，旋转遮挡盖选择性地遮挡流通气孔。相较于现有技术，本实用新型能够在保证正常沉积效果的同时，减缓后段气体浓度下降趋势，降低气体浓度下降速度，提升沉积薄膜的均匀性。
本实用新型晶圆沉积装置和晶圆沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆沉积装置，其特征在于，包括晶圆放置平台和旋转遮挡盖，所述晶圆放置平台上设置有用于容纳晶圆的放置槽，所述旋转遮挡盖可转动地装配在所述晶圆放置平台上，并盖设于所述放置槽，所述旋转遮挡盖的顶侧设置有贯通至所述放置槽的沉积气口，所述晶圆放置平台上还设置有贯通至所述放置槽的流通气孔，所述旋转遮挡盖选择性地遮挡所述流通气孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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