成都中核高通同位素股份有限公司王巍获国家专利权
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龙图腾网获悉成都中核高通同位素股份有限公司申请的专利一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610077624.6，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统是由王巍;邓志勇;许承骋;曾松柏;孟中华;杨天伟;张敏;惠俊杰;杜宇然;赵丹蕾设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统，属于半导体处理系统技术领域。用于半导体改性的可控辐射处理温控系统包括定位台、温控组件、导热件、传感器和控制模块，定位台用于承载晶圆；温控组件用于对其进行温度控制；导热件设置在定位台与温控组件之间，并可旋转；导热件朝向定位台一侧的边缘设有第一导热凸起；定位台朝向导热件一侧的边缘对应设有第二导热凸起；传感器用于检测晶圆的中心区域和边缘区域的温度；控制模块根据晶圆中心区域与边缘区域的温度差值控制导热件旋转，以调节第一导热凸起与第二导热凸起之间的接触面积。本申请提供的一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统能够在晶圆表面形成均匀且稳定的温度场。
本发明授权一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体改性的可控辐射处理温控系统，其特征在于，包括： 定位台，用于承载并固定所述半导体的晶圆； 温控组件，设置在所述定位台下方，用于对其进行温度控制； 导热件，设置在所述定位台与所述温控组件之间，且与二者紧密接触，并可绕所述晶圆轴线旋转； 所述导热件朝向所述定位台一侧的边缘设有周向均布的多个第一凹槽，相邻第一凹槽之间形成第一导热凸起； 所述定位台朝向所述导热件一侧的边缘对应设有周向均布的多个第二凹槽，相邻第二凹槽之间形成第二导热凸起； 传感器，用于检测所述晶圆的中心区域和边缘区域的温度； 控制模块，用于根据所述晶圆中心区域与边缘区域的温度差值控制所述导热件旋转，以调节所述第一导热凸起与所述第二导热凸起之间的接触面积。
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