浙江大学黄金峰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610104279.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管及制备方法是由黄金峰;徐杨设计研发完成，并于2026-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管及制备方法，以单层CVD石墨烯和单层CVD二维材料构建PN结异质结，亚1nm厚度的垂直PN结作为器件沟道，沟道长度等于异质结的厚度；栅极结构利用石墨烯和二维材料层的边缘作为栅电极，栅宽等于异质结的厚度达到亚1nm；通过间隙刻蚀将源极、漏极、栅极分离为三个独立的终端通过栅压调节石墨烯的费米能级，改变PN结的势垒高度，实现器件的开关控制。底部硅栅极还能辅助调控来进一步优化栅极电压的设置范围。本发明解决硅基器件的短沟道效应与栅极控制问题，简化制备工艺并实现晶圆级量产，满足集成电路超微型化的发展需求。
本发明授权一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种亚纳米沟长和亚纳米栅宽的异质结晶体管，其特征在于，包括： 设置有绝缘介质层的硅衬底，所述绝缘介质层上设置独立的源极、漏极和栅极三终端、石墨烯层、二维材料层和栅极介质层，其中源极和漏极之间通过二维材料层和石墨烯层构成的垂直异质结作为沟道，沟道长度等于异质结的厚度，所述二维材料层的图案用于连接源极，所述石墨烯层的图案用于连接漏极；所述异质结设置有断裂间隙，分离出的一端作为栅极，栅宽为异质结的厚度；断裂间隙中有栅极介质，所述栅极介质层覆盖石墨烯层、二维材料层和绝缘介质层。
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