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龙图腾网获悉泰州巨纳新能源有限公司;河南省科学院新型显示技术研究所申请的专利一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121529309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610050404.4，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器是由贾思琪;丁荣设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器，属于半导体光电子器件技术领域。该激光器由下至上层叠设置有掺杂硅衬底、下缓冲层、下载流子传输层、胶体量子点增益层、上载流子传输层、上保护层、波导结构层、上缓冲层以及电极系统。掺杂硅衬底表面构建有导电光学限制结构，该结构具有垂直方向的导电性，且其在激射波长下的有效折射率显著低于胶体量子点增益层。此外，透明波导结构层中设置有DFB光栅结构，并采用平坦化埋层设计以适配溶液法制备工艺。本发明攻克了硅基界面光泄漏、寄生波导效应及工艺兼容性难题，无需晶圆键合即可在硅衬底上实现低成本、低阈值且高稳定性的激光输出。

本发明授权一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器在权利要求书中公布了：1.一种硅基衬底的电泵浦胶体量子点激光器，其特征在于，由下至上层叠设置有掺杂硅衬底、下缓冲层、下载流子传输层、胶体量子点增益层、上载流子传输层、上保护层、波导结构层、上缓冲层以及分别与所述掺杂硅衬底和所述上缓冲层电连接的背电极和顶电极，其中， 所述掺杂硅衬底为001晶向的单晶硅，所述掺杂硅衬底的表面具有导电光学限制结构，所述导电光学限制结构具有垂直方向的导电性，有效折射率低于所述胶体量子点增益层；所述导电光学限制结构包括导电多孔硅层或导电分布布拉格反射镜，所述导电多孔硅层由所述掺杂硅衬底的上层部分经电化学处理形成的保留半导体骨架的多孔结构，其孔隙率被配置为使其有效折射率介于1.4至1.7之间；所述导电分布布拉格反射镜由高折射率导电材料和低折射率导电材料交替堆叠而成的多层膜结构； 所述胶体量子点增益层与所述下载流子传输层、上载流子传输层构成电注入发光结构； 所述波导结构层中设置有分布式反馈光栅结构，所述分布式反馈光栅结构所在的光场模场区域与所述电注入发光结构的载流子注入区域在空间上具有重叠部分，且二者在物理界面上分离； 所述激光器在端面还分别设置有反射膜和透射膜，所述分布式反馈光栅结构与所述反射膜和所述透射膜共同构成沿半导体层平行方向的激光谐振腔，实现激光输出。

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