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龙图腾网获悉北京宽温微电子科技有限公司申请的专利磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121528265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610057096.8，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统是由王恩俊;程平设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统，涉及电路架构技术领域，包括在每个存储阵列中设置高阻与低阻参考单元列，分别包含晶体管与多晶硅电阻串联结构；配置参考位线，通过调节线宽使方块电阻与普通位线相等，且读取通路中晶体管数量与目标单元相同；读取操作中获取目标读取电流及高低阻参考电流；计算高低阻参考电流中间值作为动态参考电流，该电流随通路上寄生电阻变化自适应调整；通过灵敏放大器比较目标读取电流与动态参考电流判断存储单元数据。本发明提高了磁芯随机存储器系统的读取可靠性与容错能力。

本发明授权磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统在权利要求书中公布了：1.磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法，其特征在于，所述方法应用于包括多个存储阵列的磁芯随机存储器系统,每个存储阵列包括多行多列的存储单元,每个存储单元包括晶体管与磁性隧道结串联结构,包括： 在每个存储阵列中设置高阻参考单元列与低阻参考单元列,所述高阻参考单元列包括晶体管与第一多晶硅电阻串联结构,所述低阻参考单元列包括晶体管与第二多晶硅电阻串联结构,所述第一多晶硅电阻的阻值等效于磁性隧道结的高阻态阻值,所述第二多晶硅电阻的阻值等效于磁性隧道结的低阻态阻值; 为所述高阻参考单元列与所述低阻参考单元列分别配置高阻参考位线与低阻参考位线,通过调节所述高阻参考位线与低阻参考位线的金属线宽度,使两条参考位线的方块电阻均与普通位线的方块电阻相等,并使两条参考位线在读取通路中的晶体管数量均与目标存储单元读取通路中的晶体管数量相等; 在读取操作中,同时读取目标存储单元、高阻参考单元与低阻参考单元的电阻值,获得目标读取电流、高阻参考电流与低阻参考电流; 通过差分运算电路计算高阻参考电流与低阻参考电流的中间值作为动态参考电流,所述动态参考电流随高阻参考单元与低阻参考单元通路上的寄生电阻与晶体管导通电阻变化而自适应调整; 通过灵敏放大器将目标读取电流与所述动态参考电流进行比较,判断目标存储单元中是否存储有数据。

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