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南昌中微半导体设备有限公司潘霖获国家专利权

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龙图腾网获悉南昌中微半导体设备有限公司申请的专利一种导流环和化学气相沉积装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121519032B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610046542.5,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权一种导流环和化学气相沉积装置是由潘霖;罗稼昊;谢振南;刘从灵;郭泉泳;周宁;姜勇设计研发完成,并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种导流环和化学气相沉积装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种导流环和化学气相沉积装置,装置包括反应腔、供气组件和导流环。反应腔包括顶盖,顶盖中央设有顶盖开口;供气组件包括气体传输部和喷嘴组件;气体传输部和顶盖开口之间设有清洁气体进气通道;导流环在顶盖下方环绕供气组件设置,在导流环的内周侧壁上开设有沿竖直方向的通气槽,通气槽连通清洁气体进气通道;沿供气组件的周向,通气槽和喷嘴组件相互错开。本发明的化学气相沉积装置,通过在导流环上开设通气槽,清洁气体流过清洁气体进气通道后进入通气槽,通气槽和喷嘴组件相互错开,清洁气体流出通气槽后继续沿着原方向向下运动,避免清洁气体被喷嘴组件中水平喷出的气体推离喷嘴组件,实现对喷嘴组件下方沉积物的有效清洁。

本发明授权一种导流环和化学气相沉积装置在权利要求书中公布了:1.一种导流环,其特征在于,所述导流环用于化学气相沉积装置,所述化学气相沉积装置包括供气组件,所述供气组件的进气部包括多个沿周向间隔设置的喷嘴组件;在所述导流环的内周侧壁上开设有多个通气槽,各所述通气槽分别连通所述导流环的顶面和底面;所述导流环环绕于所述供气组件的外侧间隔设置,用于将至少部分自所述导流环的顶面引入的清洁气体引导至所述进气部的侧壁;所述通气槽在水平面上的投影位于所述喷嘴组件在水平面上的投影的外侧,且每个所述通气槽在水平面上的投影在径向上正对着相邻两个所述喷嘴组件在水平面上的投影之间的间隙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南昌中微半导体设备有限公司,其通讯地址为:330213 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区光电路699号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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