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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121500061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610030958.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法是由陈义强;高汭;李潮;何玉娟;章晓文;林晓玲;王力纬;路国光设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法，根据应力时间序列，分别在不同温度下对PMOSFET施加恒定电压下的NBTI应力，监测转移特性曲线‑在不同温度下随时间序列的变化动态，从转移特性曲线‑中分别阈值电压，得到升温过程中Δ退化动态，将初始温度以外的其余温度产生Δ退化动态的应力时间转换为初始温度产生Δ退化动态的等效应力时间，多个等效应力时间相加得到Δ~累积等效应力时间的关系，计算使Δ~累积等效应力时间落在Δ~初始温度的等效应力时间的延长线上的值，使用单只PMOSFET试验，能避免多个器件之间的一致性差异对激活能的影响，结果准确；同时所有退化数据都在单只PMOSFET样本上得到，试验时间短，提高了NBTI激活能的提取效率以及样本的利用率。

本发明授权一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法在权利要求书中公布了：1.一种从单只PMOSFET上提取NBTI激活能的方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、设置对数增长的应力时间序列； S2、根据应力时间序列，分别在不同温度下对PMOSFET施加恒定电压下的NBTI应力，不同温度呈增量分布；监测转移特性曲线-在不同温度下随时间序列的变化动态； S3、从不同温度对应转移特性曲线-中分别提取阈值电压，得到升温过程中Δ退化动态，Δ为阈值电压变化量； S4、将初始温度以外的其余温度产生Δ退化动态的应力时间转换为初始温度产生Δ退化动态的等效应力时间，多个等效应力时间相加得到Δ~累积等效应力时间的关系，计算使Δ~累积等效应力时间落在Δ~初始温度的等效应力时间的延长线上的值，值为NBTI激活能； 具体包括以下步骤： S4.1、预设NBTI激活能范围； S4.2、将多个等效应力时间相加得到Δ~累积等效应力时间的关系； S4.3、预设，大于NBTI激活能范围； 通过计算Δ~累积等效应力时间的关系； K为玻尔兹曼常数，t为应力时间，P为应力时间的幂指数，为初始温度，为变化温度，=+ΔT，ΔT为温度增量，i为成呈增量分布的温度试验序号； S4.4、预设，小于NBTI激活能范围； 通过计算Δ~累积等效应力时间的关系； S4.5、以和为区间，计算值，使Δ~累积等效应力时间落在Δ~初始温度的等效应力时间的延长线上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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