安徽中科光栅科技有限公司陈智文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉安徽中科光栅科技有限公司申请的专利基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121477384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610030199.5，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法是由陈智文;张凌峰;蔡茂琦;王宇;杨高元;陈火耀;刘斌设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法，涉及U型槽刻蚀技术领域，包括将具有光刻胶光栅掩模的基片倾斜放置，使离子束以倾斜入射方式轰击至光刻胶光栅掩模；通过光刻胶光栅掩模对离子束产生的阴影效应，调控基片表面不同区域的刻蚀剂量分布，使得槽底中心区域的刻蚀剂量大于两侧区域，从而直接刻蚀形成具有平滑、渐变底部轮廓的U型槽。本发明通过构建平滑过渡的U型槽底结构，彻底消除了尖锐棱角，显著缓解了电场集中现象，从而有效降低了高功率激光辐照下的损伤风险，提高了光栅在极端环境下的稳定性和使用寿命。
本发明授权基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.基于掩模阴影效应的U型槽光栅离子束刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 将具有光刻胶光栅掩模的基片倾斜放置，使离子束以倾斜入射方式轰击至光刻胶光栅掩模； 通过光刻胶光栅掩模对离子束产生的阴影效应，调控基片表面不同区域的刻蚀剂量分布，使得槽底中心区域的刻蚀剂量大于两侧区域，从而直接刻蚀形成具有平滑、渐变底部轮廓的U型槽； 在刻蚀过程中，通过使基片绕其法线方向两侧交替旋转至对称的入射角度±θ，并配合工作台的往复扫描，进行交替离子束刻蚀； 根据初始光栅掩模深度h0、光栅周期d以及掩模顶部宽度w2确定离子束的初始入射角度； 在交替刻蚀过程中，随着刻蚀的进行，根据时刻t的掩模剩余高度ht和槽底中心刻蚀深度Dt，动态调整离子束的入射角度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽中科光栅科技有限公司，其通讯地址为：231600 安徽省合肥市肥东县长临河镇科创小镇1号3#楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励