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龙图腾网获悉天津大学申请的专利基于共聚焦拉曼/光致发光光谱的位错无损检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121476155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018287.3，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权基于共聚焦拉曼/光致发光光谱的位错无损检测方法是由杨龙;赵渤宇;陈天天;孙华阳;田开硕;孙长库;徐宗伟设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于共聚焦拉曼/光致发光光谱的位错无损检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于共聚焦拉曼光致发光光谱的位错无损检测方法，涉及半导体材料检测技术领域。本发明在检测过程中无需KOH腐蚀等破坏性处理，保障材料完整性，降低检测成本并实现全样品检验；通过全面光谱扫描，避免有损抽样检测的偶然性与统计性偏差，提升位错检测的全面性与准确性；本发明采用共聚焦拉曼光致发光系统对碳化硅衬底材料进行全面光谱扫描，并基于光谱特征与预设的位错分析模型自动判定位错信息，生成位错空间分布图与位错检测报告，从根本上解决了碳化硅衬底及外延材料位错的有损检测方法准确性低的问题，实现碳化硅衬底及外延材料位错的无损检测，提高位错检测准确性。

本发明授权基于共聚焦拉曼/光致发光光谱的位错无损检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于共聚焦拉曼和光致发光光谱的位错无损检测方法，其特征在于，包括： 对待检测的碳化硅衬底材料，使用共聚焦拉曼和光致发光系统进行全面扫描，得到碳化硅衬底材料各检测点的原始光谱； 对各检测点的原始光谱进行特征提取，确定各检测点的光谱特征； 基于各检测点的光谱特征，以及预设的位错分析模型，确定各检测点的位错分析结果，所述位错分析结果包括是否发生位错，以及位错类型； 基于各检测点的位错分析结果，生成碳化硅衬底材料的位错空间分布图； 基于碳化硅衬底材料的位错空间分布图，进行密度计算和统计，确定碳化硅衬底材料的位错检测报告； 所述光谱特征包括特征峰的峰位、特征峰的半高宽、特征峰的相对强度和特定能量区间的积分强度；所述对各检测点的原始光谱进行特征提取，确定各检测点的光谱特征，包括：对所述原始光谱进行连续一阶微分计算，识别得到多个候选特征峰；对所述多个候选特征峰进行高斯洛伦兹混合函数拟合，将函数极值点对应的能量值确定为特征峰的峰位；基于所述特征峰的峰位，采用线性插值法，确定特征峰的半高宽；基于所述原始光谱，选取参考特征峰；计算参考特征峰的积分强度和待分析特征峰的积分强度；并基于参考特征峰的积分强度和待分析特征峰的积分强度，确定特征峰的相对强度；基于所述原始光谱，以及预设的积分区间，进行积分，计算得到所述积分区间内原始光谱与能量轴之间的面积，确定为特定能量区间的积分强度；所述积分区间为与位错类型相关的一个或多个宽化发光带。

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