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龙图腾网获悉苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121463492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610004008.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件是由罗寅;苏乐;谭在超;丁国华设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件，包括N型衬底，N型衬底的上方设置有超结结构，超结结构包括重掺杂N型外延层,重掺杂N型外延层的中央形成重掺杂P柱区,重掺杂P柱区的上方形成栅极沟槽,通过选择性的半包P型结构将重掺杂P柱区与源极短接，可以有效抑制沟槽拐角及底部的电场强度，降低栅漏电容，提高栅氧介质及器件长期可靠性。本发明还通过优化P柱和N柱的排列方式，改善器件击穿电压和导通电阻之间的优值FOM，降低超结柱区交界面的电场强度，提升器件抗单粒子烧毁能力，实现高质量碳化硅超结MOSFET的制备，为碳化硅超结器件的商业化应用提供可行的技术路径。

本发明授权一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括： N型衬底101，所述N型衬底101的下方沉积形成漏电极112； 超结结构，所述超结结构包括重掺杂N型外延层102，所述重掺杂N型外延层102生长于所述N型衬底101的上方，所述重掺杂N型外延层102的中央形成重掺杂P柱区103，所述重掺杂P柱区103的上方设置有栅极沟槽氧化物108,所述栅极沟槽氧化物108两侧形成P-body区104,所述P-body区104的上方形成N+源区105,所述N+源区105的两侧形成P+接触区106,所述栅极沟槽氧化物108的内部形成多晶硅栅109； 氧化物介质层110，所述氧化物介质层110形成于所述多晶硅栅109的上方，所述P+接触区106和N+源区105通过源电极111短接，源电极111的内部全包裹连接氧化物介质层110；所述重掺杂P柱区103的顶部与选择性P型半包结构107通过源电极111短接，以将部分栅漏电容转换为漏源电容，降低器件米勒电容。

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