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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512053077.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管是由王成财;刘皓伦;贺致远设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上设置有漏极、源极以及栅极结构，源极、漏极分别设置在栅极结构两侧，源极侧壁、漏极侧壁、栅极结构侧壁以及势垒层暴露表面均覆盖有钝化层；栅极结构包括自下而上依次层叠设置的p型氮化镓层、n型异质结材料层、栅极金属层，n型异质结材料层与p型氮化镓层构成II型异质P‑N结，栅极金属层与n型异质结材料层形成欧姆接触。本发明利用II型异质结特有的交错能带结构实现了栅极自保护，无需依赖外部保护电路，显著简化了系统设计，降低了成本与布局面积。

本发明授权一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的衬底层1、缓冲层2、沟道层3、势垒层4，所述势垒层4上设置有漏极5、源极6以及栅极结构，所述源极6、漏极5分别设置在所述栅极结构两侧，所述源极6侧壁、漏极5侧壁、栅极结构侧壁以及所述势垒层4暴露表面均覆盖有钝化层7；所述栅极结构包括自下而上依次层叠设置的p型氮化镓层8、n型异质结材料层9、栅极金属层10，所述栅极金属层10与所述n型异质结材料层9形成欧姆接触，所述n型异质结材料层9与所述p型氮化镓层8构成II型异质PN结，当施加在所述栅极结构上的电压达到阈值电压时，所述n型异质结材料层9与所述p型氮化镓层8界面发生带带隧穿，所述II型异质PN结的电阻值降低；所述II型异质PN结的能带结构为交错型，所述n型异质结材料层9的导带底能级低于所述p型氮化镓层8的价带顶能级；所述n型异质结材料层9在所述氮化镓晶体管的工作电压范围内保持未完全耗尽状态。

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