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龙图腾网获悉芯和半导体科技(上海)股份有限公司申请的专利多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121435864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512027317.5，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法及装置是由代文亮;蒋历国;谢勇;堵云竹;石宏飞设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法及装置，所述方法包括：获取芯片设计与封装设计的至少两种设计文件，解析所述设计文件中的几何与层叠信息并生成芯片三维模型与封装三维模型；将所述芯片三维模型与所述封装三维模型进行相对放置以形成堆叠结构并基于预设的互连方式在芯片与封装之间建立电气互连关系；在所述堆叠结构的待分析网络上添加仿真端口并定义端口参数；针对所述堆叠结构中不同物理尺度的组成部分，分别配置不同的电磁仿真参数；针对配置好的模型，应用智能网格技术进行剖分并利用矩量法求解器进行计算，得到带封装仿真结果。本申请实施例解决了相关技术中仿真操作慢、精度低的技术问题。

本发明授权多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种多工艺封装芯片异构集成设计仿真方法，其特征在于，包括： 获取芯片设计与封装设计的至少两种设计文件，解析所述设计文件中的几何与层叠信息并生成芯片三维模型与封装三维模型； 将所述芯片三维模型与所述封装三维模型进行相对放置以形成堆叠结构并基于预设的互连方式在芯片与封装之间建立电气互连关系； 在所述堆叠结构的待分析网络上添加仿真端口并定义端口参数； 针对所述堆叠结构中不同物理尺度的组成部分，分别配置不同的电磁仿真参数； 针对配置好的模型，应用智能网格技术进行剖分并利用矩量法求解器进行计算，得到带封装仿真结果； 所述针对所述堆叠结构中不同物理尺度的组成部分，分别配置不同的电磁仿真参数，包括： 针对代表芯片的第一金属层与第一过孔，将所述第一金属层的模型逼近方式设置为厚膜模型，将所述第一过孔的模型逼近方式设置为集总模型，并施加第一数值的精细网格； 针对代表封装的第二金属层与第二过孔，将所述第二金属层与所述第二过孔的模型逼近方式设置为三维全波模型，并施加第二数值的稀疏网格，其中所述第二数值大于所述第一数值。

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