苏州龙驰半导体科技有限公司高秀秀获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利复合衬底及复合衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511948619.X，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权复合衬底及复合衬底的制备方法是由高秀秀设计研发完成，并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合衬底及复合衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种复合衬底及复合衬底的制备方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决相关技术中由3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底键合形成的复合衬底键合界面电阻较大的技术问题；该复合衬底包括：3C‑SiC层和4H‑SiC层，4H‑SiC层包括第一表面，3C‑SiC层包括第二表面；第一表面和或第二表面包括具有N型导电性的高浓度掺杂层，3C‑SiC层和4H‑SiC层的键合界面为高浓度掺杂层与第二表面、高浓度掺杂层与第一表面或两个高浓度掺杂层的接触面。利用高浓度掺杂层的能带弯曲效应调整界面能带，降低键合界面的势垒宽度和高度，使电子通过隧穿机制穿过势垒，提高电子在异质结界面的迁移效率，降低界面电阻。
本发明授权复合衬底及复合衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底，其特征在于，包括： 3C-SiC层100；以及 4H-SiC层200，所述4H-SiC层200包括第一表面201，所述3C-SiC层100包括第二表面101，所述第一表面201包括具有N型导电性的第一高浓度掺杂层300，和或所述第二表面101包括具有N型导电性的第二高浓度掺杂层600； 所述第一高浓度掺杂层300与所述第二表面101的接触面、所述第二高浓度掺杂层600与所述第一表面201的接触面或者所述第一高浓度掺杂层300与所述第二高浓度掺杂层600的接触面为所述3C-SiC层100和所述4H-SiC层200的键合界面400； 其中，所述第一高浓度掺杂层300和所述第二高浓度掺杂层600的掺杂浓度为。
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