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中国核动力研究设计院彭涛获国家专利权

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龙图腾网获悉中国核动力研究设计院申请的专利一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121385007B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511926847.7,技术领域涉及:G01N23/2258;该发明授权一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法是由彭涛;斯嘉轩;吴璐;滕常青;张伟;方忠强;孔祥刚;毛建军;黄子恒;杨帆设计研发完成,并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法在说明书摘要公布了:本发明属于核燃料及材料的辐照效应技术领域,具体涉及一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法。包括步骤:CeO2样品表面的裂变核素90Zr+离子注入、离子注入后CeO2样品表面的镀膜处理、SIMS分析参数的优化调节、CeO2样品中裂变核素90Zr的深度剖析及浓度标定。该方法可快速测试并获得裂变核素90Zr在CeO2模拟燃料深度方向上的浓度分布、相对灵敏度因子和检测限;可用于辐照后的核燃料中裂变核素Zr的表征分析,结合已获得的90Zr的相对灵敏度因子,对辐照后的核燃料不同径向位置的裂变核素Zr的二次离子强度随深度变化曲线进行浓度标定,从而得到辐照后的核燃料中裂变核素90Zr沿径向的浓度分布。

本发明授权一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法在权利要求书中公布了:1.一种基于SIMS的裂变核素Zr定量分析方法,其特征在于,所述方法包括: 1采用离子加速器对CeO2模拟燃料样品表面注入90Zr+离子; 2在90Zr+离子注入的CeO2样品表面均匀地镀上一层金或铂的薄层; 3将SiTa标样和90Zr+离子注入的CeO2样品装入SIMS的样品架中,将样品架装入样品分析室,采用第一一次束流在SiTa标样上优化调节SIMS的二次光路和一次光路,调节并设置第二一次束流、对比光圈、场光圈、最大分析面积、扫描面积、能量狭缝参数,并对探测器电子倍增器和法拉第杯进行校准; 4在CeO2样品上通过调节L4透镜及消像散器,使一次离子束聚焦,减少像散;移动磁场找到90Zr的二次离子信号,然后对能量狭缝的位置进行校准,使90Zr的二次离子信号强度最大,并对偏转板进行校准; 5通过自动扫描方式对CeO2样品表面注入的裂变核素90Zr和基体元素140Ce进行磁场校准,消除其他单原子离子或原子团离子对90Zr的质谱干扰,然后对90Zr进行深度剖析,采用电子倍增器收集90Zr的二次离子信号,90Zr的深度剖析结束后对140Ce元素进行深度剖析,采用法拉第杯收集140Ce元素的二次离子信号,得到裂变核素90Zr的二次离子强度随溅射时间的变化曲线; 6根据裂变核素90Zr峰值浓度对应的深度,对90Zr的二次离子强度随溅射时间的变化曲线进行深度标定,获得90Zr的二次离子强度随溅射深度的变化曲线,以140Ce元素的二次离子强度为参考,根据90Zr+离子的注入剂量,对90Zr的二次离子强度随溅射深度的变化曲线进行浓度标定,得到裂变核素90Zr的浓度随溅射深度的变化曲线,即沿CeO样品深度方向上的浓度分布、相对灵敏度因子及检测限。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国核动力研究设计院,其通讯地址为:610213 四川省成都市双流区长顺大道1段328号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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