成都信息工程大学谢东宴获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种电流监测电路和监测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121364337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511949212.9,技术领域涉及:G01R19/00;该发明授权一种电流监测电路和监测方法是由谢东宴;彭映杰;谭菲菲;王海时设计研发完成,并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电流监测电路和监测方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种电流监测电路和监测方法。所述电流监测电路包括:齐纳二极管、运算放大器、第一MOSFET、第二MOSFET和电流镜电路。所述电流监测电路和监测方法无需采用单片集成或者定制功率管,精准地提供与流经所需监测的功率开关等比例的电流以供系统监测使用。
本发明授权一种电流监测电路和监测方法在权利要求书中公布了:1.一种电流监测电路,用于监测流过功率开关的电流,所述功率开关的第一端耦接至电源轨,第二端耦接至负载,其特征在于,所述电流监测电路包括: 齐纳二极管,具有阳极端和阴极端,其阴极端耦接至电源轨,其阳极端通过第一电阻器耦接至参考地; 运算放大器,具有同相输入端、反相输入端和输出端,其同相输入端耦接至功率开关的第二端,其反相输入端通过第二电阻器耦接至电源轨; 第一MOSFET,具有栅极、源极和漏极,其栅极耦接至齐纳二极管的阳极,其漏极耦接至参考地,其源极提供偏置电压; 第二MOSFET,具有栅极、源极和漏极,其源极耦接至运算放大器的反相输入端,其栅极耦接至运算放大器的输出端; 电流镜电路,具有电流流入部分和电流流出部分,其电流流入部分耦接在第一MOSFET的源极和第二MOSFET的漏极之间,以接收流过第二MOSFET和第二电阻器的电流,其电流流出部分耦接在电源轨和所述电流监测电路的输出端之间,以提供监测电流;其中 所述电源轨给运算放大器提供正参考电压,所述偏置电压给运算放大器提供负参考电压。
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