南昌凯迅光电股份有限公司宁如光获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511912566.6，技术领域涉及：H10F10/163；该发明授权一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法是由宁如光;潘彬;蔡建九;李浩;佟嘉欣设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法，该三结砷化镓太阳电池外延片自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底超晶格隧穿结、DBR、中电池、中顶超晶格隧穿结、顶电池、欧姆接触层，中底超晶格隧穿结和中顶超晶格隧穿结均含有超晶格层。本发明通过结构优化，旨在传统太阳电池P‑N‑N+结构的基础上进行隧穿结结构优化，使得电池间具有更优的电流匹配，可全面提高器件的整体光电转换效率。
本发明授权一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三结砷化镓太阳电池外延片，其特征在于，所述三结砷化镓太阳电池外延片自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底超晶格隧穿结、DBR、中电池、中顶超晶格隧穿结、顶电池、欧姆接触层； 所述中底超晶格隧穿结和所述中顶超晶格隧穿结均含有超晶格层； 所述中底超晶格隧穿结的材料为N-AlGaAs第一超晶格层P-GaAs； 所述中顶超晶格隧穿结的材料为N-Alx1GaInP第二超晶格层P-Aly1GaInP，其中0.3≤x1＜0.9,0.1≤y1＜0.3； 所述第一超晶格层的材料为交替生长并呈周期性变化的GaAsAlGaAs，周期性对数为3对～5对，总厚度为1nm～10nm，所述N-AlGaAs的厚度为20±2nm，所述P-GaAs的厚度为20±2nm； 所述第二超晶格层的材料为交替生长并呈周期性变化的Aly1GaInPAlx1GaInP，期性对数为3对～5对，总厚度为1nm～10nm，所述N-Alx1GaInP的厚度为20±2nm，所述P-Aly1GaInP的厚度为20±2nm。
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