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龙图腾网获悉深圳星火半导体科技有限公司申请的专利存储器管理方法与存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121354636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511906411.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权存储器管理方法与存储装置是由马运扬;陈运松;杨志坚;陈建佑设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器管理方法与存储装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器管理方法与存储装置。所述方法包括：在响应于目标页的读取指令而执行完整数据读取操作之前，获取目标页的慢变元数据和快变元数据；根据慢变元数据，获取第一电压调整参数；根据快变元数据，获取第二电压调整参数；根据第一电压调整参数与第二电压调整参数，将目标页的读取电压从预设读取电压调整为目标读取电压；根据目标读取电压，对目标页执行所述完整数据读取操作，其中完整数据读取操作是在未针对所述目标页发生历史读取失败的情况下执行的。由此，可提高存储装置的数据读取效能。

本发明授权存储器管理方法与存储装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器控制方法，其特征在于，用于存储装置，其中所述存储装置包括存储器模块，所述存储器模块包括多个区块，每一区块包括多个页，且所述存储器控制方法包括： 在响应于目标页的读取指令而执行完整数据读取操作之前，获取目标页的慢变元数据和快变元数据； 根据所述慢变元数据，通过查询一多维度查找表并基于所述慢变元数据中的多个参数进行插值计算来获取第一电压调整参数； 根据所述快变元数据，通过将所述快变元数据的数值与基于所述目标页所属区块的编程擦除次数动态计算的阈值进行比较来获取第二电压调整参数； 所述慢变元数据包括编程擦除次数、数据存储时长、单元类型、工艺变异参数、字线位置敏感参数和历史平均比特错误率中的至少一种； 所述快变元数据包括读干扰计数、写干扰计数、实时温度、温度历史、最近错误率、错误分布图谱、解码迭代次数及读取间隔统计中的至少一种； 根据所述第一电压调整参数与所述第二电压调整参数，将所述目标页的读取电压从预设读取电压调整为目标读取电压； 根据所述目标读取电压，对所述目标页执行所述完整数据读取操作，其中所述完整数据读取操作是在未针对所述目标页发生历史读取失败的情况下执行的。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳星火半导体科技有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市龙岗区坂田街道岗头社区天安云谷产业园二期(02-08地块)11栋1201-1206；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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