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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121351429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511913830.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法是由张尧;李佳阳;张帆;方晓伦;黄娜;赵晓东;赵晓丹设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法，首先选取双层正交DD线圈，确定传导效应校正系数和邻近效应校正系数；然后计算双层正交DD线圈的传导电阻和内部邻近电阻；将所述双层正交DD线圈进行镜像处理，并将所述双层正交DD线圈及其镜像分别划分为多个长直导体段，并将每个导体段进一步划分为多个子段；对于每个子段，计算外部磁场强度，然后根据外部磁场强度和邻近效应校正系数计算所述双层正交DD线圈子段的外部邻近效应电阻，并求和到外部邻近电阻；最后将所述传导电阻、内部邻近电阻和外部邻近电阻相加，得到所述双层正交DD线圈的总交流电阻，本发明能够，能够快速有效的计算双层正交DD线圈的交流电阻。

本发明授权一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法在权利要求书中公布了：1.一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、选取双层正交DD线圈，确定传导效应校正系数和邻近效应校正系数； 步骤2、根据传导效应校正系数计算双层正交DD线圈的传导电阻，根据邻近效应校正系数和内部磁场强度平方平均值计算双层正交DD线圈的内部邻近电阻； 所述双层正交DD线圈的传导电阻计算方法为：根据电磁传播系数、双层正交DD线圈的单股导线半径、股线数量、电导率、传导电阻调整函数、传导效应校正系数和双层正交DD线圈总长度计算得到，公式如下： ； 其中，为电磁传播系数，构成利兹线的单股铜线的半径为，股线数量为，电导率为，为传导电阻校正函数，传导效应校正系数为，为线圈所用利兹线总长度； 所述双层正交DD线圈的内部邻近电阻计算方法为：根据电磁传播系数、单股导线半径、股线数量、电导率、邻近效应校正函数、邻近效应校正系数和内部磁场强度平方平均值进行计算得到，公式如下： ； 其中，是下层线圈到铁氧体上表面的距离，是上层线圈到铁氧体上表面的距离，利兹线的半径为，为邻近电阻校正函数； 步骤3、将所述双层正交DD线圈进行镜像处理，并将所述双层正交DD线圈及其镜像分别划分为多个长直导体段，并将每个导体段进一步划分为多个子段； 步骤4、对于每个子段，计算外部磁场强度在子段中心截面上的平均值，其中所述外部磁场强度由其他所有导体段及其镜像段在子段中心处产生，并通过数值积分方法计算； 步骤5、根据外部磁场强度平方平均值和邻近效应校正系数计算所述双层正交DD线圈子段的外部邻近效应电阻，并求和所有子段的外部邻近效应电阻得到外部邻近电阻； 对于每个子段，根据电磁传播系数、单股导线半径、股线数量、电导率、邻近效应校正函数、邻近效应校正系数、外部磁场强度平方平均值和子段长度，计算子段的外部邻近效应电阻，公式如下： ； 其中，为第i段长直导体上第j个子段的长度，为外磁场强度平方在该子段中心截面上的平均值，为邻近效应校正系数，16*N为长直导体段数，为将每一段导体分成的子段数； 所述外部邻近电阻的计算包括对每个子段的外部邻近效应电阻进行线性叠加； 步骤6、将所述传导电阻、内部邻近电阻和外部邻近电阻相加，得到所述双层正交DD线圈的总交流电阻。

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