上海瞻芯电子科技股份有限公司陈俭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海瞻芯电子科技股份有限公司申请的专利一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511870285.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法是由陈俭设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法。超级结结构包括第一P区，位于P区中间区域，第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合，高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规值，其中四面体结构含负电荷，八面体结构含正电荷；第二P区，位于第一P区的两侧，其主体材料与N区的材料相同，并且第二P区富含正电荷，正电荷受第一P区中四面体结构的负电荷吸引而聚集，第二P区的宽度由第一P区的四面体结构相对于八面体结构的净过剩电荷量和N区的掺杂浓度决定。本发明的优点在于，四面体结构的负电诱生效应使在保持超级结结构的宽度条件下有效提高耐压，从而减小器件尺寸，降低成本。
本发明授权一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC超级结结构，其特征在于，包括间隔设置的N区和P区，所述P区包括： 第一P区，位于所述P区的中间区域，所述第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合，所述高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规比例，并且四面体结构含负电荷，八面体结构含正电荷；以及 第二P区，位于所述第一P区的两侧，其主体材料与所述N区的材料相同，并且所述第二P区富含正电荷，所述正电荷受第一P区中所述高介电常数介质材料的四面体结构所含的负电荷吸引而聚集，所述第二P区的宽度由第一P区的四面体结构相对于八面体结构的净过剩电荷量和所述N区的掺杂浓度决定。
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