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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511861936.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件和半导体器件的制造方法是由王文智设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、源极、漏极和栅极；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；沟道区与栅极的连接位置中设有阶梯功函数层，阶梯功函数层包含第一功函数层、第二功函数层和第三功函数层，其中第二功函数层分别与第一功函数层的末端和第三功函数层的首端连接，且第二功函数层与第一功函数层和第三功函数层的功函数大小不一致；第一功函数层的表面高度高于源区的表面高度，第三功函数层的表面高度高于漏区的表面高度。利用本申请技术方案，能够提升栅极对沟道区域的控制能力，提升半导体器件的电学性能。

本发明授权半导体器件和半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底1、源极2、漏极3和栅极4； 所述半导体衬底1中设有与所述源极2对应的源区5和与所述漏极3对应的漏区6，所述源区5和所述漏区6之间设有沟道区7；所述栅极4设置在所述沟道区7之上； 所述沟道区7与所述栅极4的连接位置中设有阶梯功函数层，所述阶梯功函数层包含第一功函数层81、第二功函数层82和第三功函数层83，其中所述第二功函数层82分别与所述第一功函数层81的末端和所述第三功函数层83的首端连接，且所述第二功函数层82与所述第一功函数层81和所述第三功函数层83的功函数大小不一致；并且所述第二功函数层82的金属栅材料与所述源极2和所述漏极3的掺杂类型相适配，以在N型半导体区域同一栅极处形成PNP的功函数层，和或在P型半导体区域的同一栅极处形成NPN的功函数层；所述第二功函数层82分别与所述第一功函数层81和所述第三功函数层83垂直； 所述第一功函数层81的表面高度高于所述源区5的表面高度，所述第三功函数层83的表面高度高于所述漏区6的表面高度。

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