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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利差分电容数据读取电路和MEMS电容数据读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121299243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511884911.X，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权差分电容数据读取电路和MEMS电容数据读取方法是由韩晓东;韦晓嘉;张剑飞;杨旭东;毛圣成;王立华;李炜设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本差分电容数据读取电路和MEMS电容数据读取方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种差分电容数据读取电路和MEMS电容数据读取方法，涉及电子电路技术领域，在该电路中，差分电容输入接口与MEMS传感器直接连接，接收MEMS传感器提供的两路差分电容输入信号；激励信号控制模块耦接至差分电容输入接口，基于MEMS传感器产生的外部使能信号，生成与差分电容输入信号一一对应的两路激励控制信号；差分电容电流转换模块耦接至差分电容输入接口，基于激励控制信号将差分电容输入信号转换为差分电流信号；差分电流输出接口耦接至差分电容电流转换模块，输出差分电流信号，从而确定MEMS传感器的差分电容值。通过本发明提供的电路和方法可以有效实现MEMS传感器输出电容信号的低噪声高精度测量。

本发明授权差分电容数据读取电路和MEMS电容数据读取方法在权利要求书中公布了：1.一种差分电容数据读取电路，其特征在于，包括： 差分电容输入接口、激励信号控制模块、差分电容电流转换模块和差分电流输出接口； 所述差分电容输入接口与微机电系统MEMS传感器直接连接，用于接收所述MEMS传感器提供的两路差分电容输入信号； 所述激励信号控制模块耦接至所述差分电容输入接口，用于基于所述MEMS传感器产生的外部使能信号，生成与所述差分电容输入信号一一对应的两路激励控制信号，所述激励控制信号用于控制所述差分电容输入信号对应的MEMS传感器的使能状态； 所述差分电容电流转换模块耦接至所述差分电容输入接口，用于基于所述激励控制信号，将所述差分电容输入信号转换为差分电流信号； 所述差分电流输出接口耦接至所述差分电容电流转换模块，用于输出所述差分电流信号；所述差分电流信号用于确定所述MEMS传感器的差分电容值； 所述差分电容电流转换模块为双通道架构； 所述差分电容电流转换模块的两个通道一对一地耦接至所述差分电容输入接口；其中，第一通道接收第一差分电容输入信号，以及所述第一差分电容输入信号对应的第一激励控制信号；第二通道接收第二差分电容输入信号，以及所述第二差分电容输入信号对应的第二激励控制信号； 所述第一通道和所述第二通道均采用差分输入级结构；所述第一通道响应于所述第一激励控制信号，将所述第一差分电容输入信号转换为第一差分电流信号；所述第二通道响应于所述第二激励控制信号，将所述第二差分电容输入信号转换为第二差分电流信号； 所述激励信号控制模块生成的两路激励控制信号同步且相位相反。

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