北京阿法龙科技有限公司徐培培获国家专利权
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龙图腾网获悉北京阿法龙科技有限公司申请的专利基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121276675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511842243.4，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构及其制备方法是由徐培培设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在碳化硅衬底上形成厚度渐变的牺牲层；采用两步等离子刻蚀工艺进行刻蚀；通过等离子体抛光工艺将表面进行抛光。本发明通过渐变牺牲层与两步等离子刻蚀结合，在碳化硅衬底上实现高精度连续深度渐变的光栅结构，以匹配RGB三色波长的衍射需求；消除了刻蚀过程中的微沟槽缺陷，解决了传统工艺无法兼顾深宽比和表面质量的难题，为单层全彩光波导量产提供了关键技术支撑；通过控制表面粗糙度，降低光波导传输损耗；而且产品良率得到提升，生产成本降低，适合大规模生产。
本发明授权基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在碳化硅衬底上形成厚度渐变的牺牲层；具体地，步骤S1包括： S11、提供碳化硅衬底； S12、在碳化硅衬底上旋涂牺牲层材料，形成厚度均匀的膜层； S13、通过曝光形成厚度渐变的牺牲层： 所述牺牲层的厚度梯度为5-50nmmm；所述牺牲层的折射率为1.5-1.6； S2、采用两步等离子刻蚀工艺进行刻蚀；具体地，步骤S2包括： 第一步等离子刻蚀，采用的刻蚀气体比例为SF6:O2:Ar=1:3:1； 第二步等离子刻蚀，采用的刻蚀气体比例为SF6:O2:Ar=1:3:3； S3、通过等离子体抛光工艺将表面进行抛光； 所述的基于碳化硅衬底的连续深度渐变的光栅结构光栅周期为200-300nm，占空比为0.3-0.7，深宽比为6-8，传输损耗≤0.8dBcm。
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