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龙图腾网获悉成都青洋电子材料有限公司申请的专利硅片研磨生产系统及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121245678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511807104.8，技术领域涉及：B24B37/08；该发明授权硅片研磨生产系统及其方法是由傅昭林;代刚;衡志勇设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片研磨生产系统及其方法在说明书摘要公布了：本发明属于硅片制造技术领域，公开了硅片研磨生产系统及其方法，系统包括可上下扣合的上盖与底台，上盖内设有环形上磨盘及注浆系统，底台内设有环形下磨盘、太阳转盘，底台沿下磨盘外圈设外齿柱，太阳转盘设内齿柱，上下磨盘间环形间隙内置与内外齿柱啮合的载体，载体设限位孔及带弹性挡条的切槽。方法包括装配载体、固定研磨硅片、行星运动研磨，终段研磨时监测剩余厚度，调整磨盘转速压力，必要时微调转向以抑制共振。本发明通过弹性挡条减少硅片晃动，结合终段参数调整消除共振，确保研磨硅片达目标厚度且无波纹，研磨时间延长可控，降低硅片损伤风险。

本发明授权硅片研磨生产系统及其方法在权利要求书中公布了：1.硅片研磨生产系统，用于双面精磨硅片，包括上下相互扣合的上盖与底台2，所述上盖内设有环形的上磨盘和注浆系统，底台2内具有环形的下磨盘3和处于下磨盘3内圈的太阳转盘4，所述底台2上沿下磨盘3外圈边缘设有外齿柱6，太阳转盘4上设有内齿柱7，在扣合的上磨盘和下磨盘3之间形成的环形间隙中设有与内齿柱7、外齿柱6内核带动硅片行星运动研磨的载体5； 其特征在于：所述载体5具有若干用于放置硅片且内径大于硅片外径至少2mm的限位孔12，限位孔12一侧边沿设有切槽11且切槽11内设有给予硅片边缘弹性限位力的弹性挡条8； 在限位孔12未放置硅片时对应的弹性挡条8突出于切槽11，将弹性挡条8向切槽11内推动用于安装硅片，弹性挡条8在失去外部推动力时施加给硅片的弹性限位力小于硅片在研磨时的平面位移摩擦阻力； 所述载体5为金属片体，所述切槽11、弹性挡条8均由载体5材料在限位孔12边沿激光切割或蚀刻所形成，弹性挡条8与切槽11之前具有通过激光切割或蚀刻所形成的镂空且用于弹性连接的弹性部9，由弹性部9受压形变带动弹性挡条8向切槽11内位移； 所述载体5沿圆心等圆心角布置有若干限位孔12，每个限位孔12的切槽11均朝向载体5圆心开设； 所述弹性挡条8上设有镂空的束缚固定点10，在载体5圆心处设有镂空的定位点，由外部束缚件同时插入定位点和至少一个弹性挡条8的束缚固定点10并收束使得弹性挡条8挤压弹性部9收入切槽11内；或由外部束缚件同时插入所有束缚固定点10并向载体5圆形处收束使得弹性挡条8挤压弹性部9收入切槽11内。

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