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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利背接触太阳电池制备方法、背接触太阳电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511783506.9，技术领域涉及：H10F10/17；该发明授权背接触太阳电池制备方法、背接触太阳电池及光伏组件是由马耀东;甘芹;李中兰;孟夏杰设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳电池制备方法、背接触太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种背接触太阳电池制备方法、背接触太阳电池及光伏组件，其中制备方法包括：制备背接触太阳电池初始结构，在正面绒面结构上形成正面钝化层，同时在N型掺杂多晶硅层上和背面绒面结构上形成钝化保护牺牲层，采用高温工艺在正面钝化层上形成减反射层；去除钝化保护牺牲层，在N型掺杂多晶硅层上和背面绒面结构上沉积形成第二界面钝化层和P型掺杂非晶硅层，去除位于第一区域中的部分第二界面钝化层和P型掺杂非晶硅层，沉积透明导电氧化物层，进行隔离开槽处理，在背接触太阳电池的背面进行金属化处理，提高了N型掺杂多晶硅层的钝化性能，从而提高了HTBC太阳电池的性能。

本发明授权背接触太阳电池制备方法、背接触太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备背接触太阳电池初始结构； 所述背接触太阳电池初始结构包括硅衬底，所述硅衬底的正面具有正面绒面结构，所述硅衬底的背面交替设置有第一区域和第二区域，在所述第一区域，所述硅衬底的背面沿着背离所述硅衬底的方向上依次设置有掺杂内扩层、第一界面钝化层和N型掺杂多晶硅层，在所述第二区域，所述硅衬底的背面具有背面绒面结构，所述N型掺杂多晶硅层基于高温工艺形成； 在所述正面绒面结构上形成正面钝化层，同时，在所述N型掺杂多晶硅层上和所述背面绒面结构上形成钝化保护牺牲层； 采用高温工艺在所述正面钝化层上形成减反射层，其中，所述高温工艺同时作用于所述正面钝化层和所述钝化保护牺牲层； 所述高温工艺的温度范围为400℃~1000℃； 采用低温工艺制备背接触太阳电池； 所述低温工艺包括： 去除所述背面的所述钝化保护牺牲层； 在所述N型掺杂多晶硅层上和所述背面绒面结构上沉积形成第二界面钝化层和P型掺杂非晶硅层； 进行图形化处理，去除位于所述第一区域中的部分所述第二界面钝化层和P型掺杂非晶硅层； 沉积透明导电氧化物层； 进行隔离开槽处理，所述隔离开槽处理的处理区域位于所述第一区域，或者，所述隔离开槽处理的处理区域同时位于所述第一区域和所述第二区域； 在所述背接触太阳电池的背面进行金属化处理； 所述低温工艺的温度范围为20℃~400℃。

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