湖北九峰山实验室刘洋博文获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利雪崩光电探测器外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121194530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511729406.8，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩光电探测器外延结构是由刘洋博文;潘磊;张伟设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩光电探测器外延结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种雪崩光电探测器外延结构，包括依次叠设的衬底，缓冲层，吸收层，过渡层，电荷控制层，扩散停止层，帽层，欧姆接触层，所述扩散停止层为本征InP外延层。本发明通过插入合适厚度的扩散停止层，可以在相同的扩散条件下形成两层浓度与深度不同，且边缘尖锐的P型掺杂区。在确保达到目标的前提下，简化工艺流程。
本发明授权雪崩光电探测器外延结构在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电探测器外延结构，其特征在于，包括依次叠设的衬底，缓冲层，吸收层，过渡层，电荷控制层，扩散停止层，帽层，欧姆接触层，所述扩散停止层为本征InP外延层； 所述扩散停止层的厚度为50-200nm； 在所述本征InP外延层中，磷源的有效供给量为铟源的6倍； 所述欧姆接触层为本征InGaAsP外延层； 所述欧姆接触层的组分包括In0.724Ga0.276As0.588P0.412； 所述欧姆接触层的厚度为50-200nm； 所述欧姆接触层的发光波长为1100-1200nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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