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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种浅沟槽隔离结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121192054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511727118.9，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种浅沟槽隔离结构及其制备方法是由王文智设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浅沟槽隔离结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和氮化层；在所述衬垫氧化层、氮化层和半导体衬底中形成沟槽；所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中，将所述半导体衬底划分为若干有源区；对所述沟槽两侧的所述衬垫氧化层和氮化层进行回刻，使得靠近所述沟槽侧壁顶部的半导体衬底有源区的顶表面暴露；在所述沟槽内壁以及暴露的半导体衬底有源区顶表面形成外延层；对暴露的半导体衬底有源区顶部拐角进行圆滑处理，形成线氧化层；在所述沟槽内形成隔离区，对所述隔离区进行平坦化处理，以暴露出所述氮化层，去除所述氮化层。

本发明授权一种浅沟槽隔离结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括： 提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和氮化层； 在所述衬垫氧化层、氮化层和半导体衬底中形成沟槽；所述沟槽从所述氮化层延伸至所述半导体衬底中，将所述半导体衬底划分为若干有源区； 对所述沟槽两侧的所述衬垫氧化层和氮化层进行回刻，使得靠近所述沟槽侧壁顶部的半导体衬底有源区的顶表面暴露； 在所述沟槽内壁以及暴露的半导体衬底有源区顶表面形成外延层；所述外延层采用能够作为半导体衬底材料的硅基材料； 对暴露的半导体衬底有源区顶部拐角进行圆滑处理，形成线氧化层；所述线氧化层的厚度等于所述外延层的厚度加上有源区消耗的厚度； 在所述沟槽内形成隔离区，对所述隔离区进行平坦化处理，以暴露出所述氮化层，去除所述氮化层； 其中，形成沟槽的方法包括： 第一种形成方法：先刻蚀所述氮化层、衬垫氧化层和半导体衬底，形成上宽下窄的倒梯形的沟槽，再通过离子注入对所述倒梯形的沟槽两侧区域进行改性处理，最后刻蚀所述倒梯形的沟槽两侧区域形成方形的沟槽； 或，第二种形成方法：先刻蚀所述氮化层和衬垫氧化层，使得半导体衬底有源区顶表面暴露，再进行两步离子注入，第一步离子注入形成湿法刻蚀阻挡层，第二步离子注入将所述半导体衬底有源区的单晶结构转化为非晶结构，最后刻蚀所述半导体衬底形成上宽下窄的倒梯形的沟槽并去除所述倒梯形的沟槽侧壁的非晶结构，形成方形的沟槽。

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