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龙图腾网获悉极芯拓方技术(上海)有限公司申请的专利一种芯片堆叠结构、制备方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121191558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511715611.9，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种芯片堆叠结构、制备方法和存储器是由张家瑞;冀康灵设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片堆叠结构、制备方法和存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体领域，针对立体存储器的堆叠良率较差、修复成本较高的问题，本公开实施例提供了一种芯片堆叠结构、制备方法和存储器，存储器包括多个存储芯片、目标冗余芯片和多个修复组；每一修复组包括A条可编程传输路径，不同的信号传输路径通过对应的可编程传输路径与目标冗余芯片连接，不同的信号传输路径用于为依次堆叠的不同存储芯片提供控制信号；A为正整数；其中，在每一修复组中，A条可编程传输路径基于标志信号择一选通；标志信号用于表征发生损坏的存储芯片的位置，目标冗余芯片用于修复发生损坏的存储芯片，能够修复1个存储芯片损坏和部分场景下的2个存储芯片损坏，提高整体的堆叠良率。

本发明授权一种芯片堆叠结构、制备方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构包括沿第一方向依次堆叠的至少一个堆叠单元和多个冗余芯片；所述堆叠单元包括沿第一方向依次堆叠的多个存储芯片，所述多个存储芯片包括：第一存储芯片、第二存储芯片、第三存储芯片和第四存储芯片；所述多个冗余芯片包括：第一冗余芯片和第二冗余芯片； 所述存储芯片和所述冗余芯片均包括N个端口组，每一所述端口组包括第一连接端口、第二连接端口、第三连接端口和第四连接端口；N为正整数； 所述第一存储芯片的第一连接端口至少经由在上方堆叠的非第一存储芯片的非第一连接端口连接至所述第一冗余芯片的第一连接端口； 所述第二存储芯片的第一连接端口至少经由在上方堆叠的非第二存储芯片的非第一连接端口连接至所述第二冗余芯片的第一连接端口； 所述第三存储芯片的第一连接端口至少经由在上方堆叠的非第三存储芯片的非第一连接端口连接至所述第二冗余芯片的第四连接端口； 所述第四存储芯片的第一连接端口至少经由在上方堆叠的非第四存储芯片的非第一连接端口连接至所述第一冗余芯片的第四连接端口；或，所述第四存储芯片的第一连接端口连接至所述第一冗余芯片的第四连接端口； 对于每一所述存储芯片的每一所述端口组，仅所述第一连接端口与存储芯片内部电路连接；对于每一所述冗余芯片的每一所述端口组，仅所述第一连接端口和所述第四连接端口的二者之一与冗余芯片内部电路连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人极芯拓方技术(上海)有限公司，其通讯地址为：200131 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区唐龙路115号2幢101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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