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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511695983.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质是由熊小亮;焦二斌;张瀚;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质，涉及半导体技术领域，所述方法包括：获取每炉次产出的外延片的波长信息及翘曲信息；计算每炉次内石墨盘的第一关联信息；计算每炉次产出的外延片的均值波长信息；计算石墨盘的第二关联信息；计算每炉次产出的外延片的均值翘曲信息；根据预设的目标翘曲信息、均值翘曲信息、第一关联信息及第二关联信息计算每炉次产出的外延片的翘曲补偿温度；根据均值波长信息及预设的目标波长信息计算石墨盘中外延片的波长差值；根据波长差值、第二关联信息、翘曲补偿温度及预设的调整因子计算温度调整信息；根据温度调整信息调整石墨盘的预设温度信息。采用本发明，可提高产品波长良率。

本发明授权发光二极管外延片的生长控制方法、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片的生长控制方法，其特征在于，包括： 获取每炉次产出的外延片的波长信息及翘曲信息，所述翘曲信息为所述外延片的中心区域的波长均值与边缘区域的波长均值的差值； 根据所述波长信息及翘曲信息计算每炉次内石墨盘的第一关联信息，所述第一关联信息用于表征所述石墨盘中外延片的波长信息与翘曲信息的关系；具体地，根据公式，计算每炉次内石墨盘的第一关联信息；其中，为目标炉次内石墨盘的第一关联信息，为目标炉次内一外延片的波长信息，为目标炉次内另一外延片的波长信息，为目标炉次内一外延片的翘曲信息，为目标炉次内另一外延片的翘曲信息； 根据所述波长信息计算每炉次产出的外延片的均值波长信息； 根据所述石墨盘所对应的不同炉次产出的外延片的均值波长信息及预设温度信息计算所述石墨盘的第二关联信息，所述第二关联信息用于表征所述石墨盘中的外延片的均值波长信息与预设温度信息的关系；具体地，根据公式，计算所述石墨盘的第二关联信息；其中，为目标石墨盘的第二关联信息，为目标石墨盘所对应的当前炉次产出的外延片的均值波长信息，为目标石墨盘所对应的上一炉次产出的外延片的均值波长信息，为目标石墨盘所对应的当前炉次的预设温度信息，为目标石墨盘所对应的上一炉次的预设温度信息； 根据所述翘曲信息分别计算每炉次产出的外延片的均值翘曲信息； 根据预设的目标翘曲信息、所述均值翘曲信息、第一关联信息及第二关联信息计算每炉次产出的外延片的翘曲补偿温度；具体地，根据公式，计算每炉次产出的外延片的翘曲补偿温度；其中，为目标炉次产出的外延片的翘曲补偿温度，为目标炉次产出的外延片的均值翘曲信息，为目标炉次产出的外延片预设的目标翘曲信息； 根据所述均值波长信息及预设的目标波长信息计算所述石墨盘中外延片的波长差值； 根据所述波长差值、第二关联信息、翘曲补偿温度及预设的调整因子计算温度调整信息； 根据所述温度调整信息调整所述石墨盘的预设温度信息。

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