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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121124752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511233888.8，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放是由吴克军;于臻;梁琪铃;王俊峰;宁宁;李靖;张中;于奇设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放。本发明基于交叉耦合推挽输出，通过低压运算放大器电路与高压电流镜的复合反馈路径，建立动态偏置生成模型；跨导增益级由低压共源MOS管M17和M18组成，比传统的高压管做输入更能提高其增益效率，其输出电流通过高压共栅LDMOS管HM19和HM20交叉耦合，并注入到二极管连接的高压管HM21和HM22中，以产生ClassAB类高压推挽输出级HM23和HM24的栅极驱动电压，从而实现轨到轨输出摆幅。本发明在无额外补偿电路条件下实现AB类输出的非线性驱动能力，实现高压驱动的低功耗、小面积及全摆幅输出；且不需要额外的LDMOS高压偏置电路，LDMOS数量优化为6个，突破了传统高压运放的效率与面积瓶颈。

本发明授权一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放在权利要求书中公布了：1.一种基于交叉耦合推挽输出的ClassAB高压运放，其特征在于：由低压预放大输入级gm1、推挽式高压ClassAB输出缓冲级和反馈网络构成； 所述低压预放大输入级gm1，其正输入端接INP，负输入端接电阻R1的一端，电源电压接低电源电压AVDD，地电位接AGND，输出端接M17的栅极以及M18的栅极； 所述推挽式高压ClassAB输出缓冲级，实现低压至高压电平转换，包括：低压NMOS管M17，低压PMOS管M18，高压管HM19、HM20、HM21、HM22、HM23、HM24，齐纳二极管D1、D2，放大器，低电源电压AVDD，高电源电压AVCC和负电源电压AVSS；其中，高、低是指高电源电压AVCC大于低电源电压AVDD，负是指负电源电压AVSS小于等于地电位AGND； M17的栅极连接gm1的输出端，源极连接低电源电压AVDD，漏极连接HM19的源极；HM19的栅极连接使能电压ENB，源极连接M17管的漏极，漏极连接HM22的栅极和漏极、HM24的栅极、以及D2的负端； HM22的栅漏短接，并与HM19的漏极、HM24的栅极以及D2的负端相连，HM22的源极连接负电源电压AVSS；HM24的源极连接负电源电压AVSS，漏极连接HM23的漏极，并将HM24的漏极作为整个ClassAB高压运放的输出端； D2的正端连接负电源电压AVSS； M18的栅极连接gm1的输出端，漏极连接HM20的源极，源极连接地电位AGND；HM20的栅极连接使能电压EN，漏极连接HM21的漏极和栅极、HM23的栅极和D1的正端，源极连接M18管的漏极； HM21的栅漏短接，并与HM20的漏极、HM23的栅极以及D1的正端相连，HM21的源极连接高电源电压AVCC；HM23的源极连接高电源电压AVCC，漏极连接HM24的漏极，并将HM23的漏极作为整个ClassAB高压运放的输出端； D1的负端连接高电源电压AVCC； 所述反馈网络，包括电阻R1和R2；电阻R1一端接共模电压VCM，另一端接低压预放大输入级gm1的负输入端和电阻R2的一端；电阻R2的一端接低压预放大输入级gm1的负输入端和电阻R1的一端，另一端连接HM23的漏极和HM24的漏极。

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