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龙图腾网获悉山东中厦电子科技有限公司申请的专利一种大电流功率型热敏芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121122855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511659494.9，技术领域涉及：H01C7/04；该发明授权一种大电流功率型热敏芯片及其制备方法是由刘倩;朱金鸿设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大电流功率型热敏芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种大电流功率型热敏芯片及其制备方法；有效解决了在不增加产品体积的前提下显著提升了芯片的电流承载能力，其技术方案如下：所述热敏芯片采用复合材料，所述复合材料包括主材和复合添加剂；所述主材中各组分重量百分比为：四氧化三锰Mn₃O₄：30～70%、氧化锌ZnO：10～30%、氧化铜CuO：8～20%、四氧化三钴Co₃O₄：1～10%；所述复合添加剂占主材重量的1～10%；本发明的有益效果是：采用了多层环形结构设计，形成了协同散热机制，有利于热量向上下方向同时散发，避免了实心结构中心区域热量积聚的“热瓶颈”效应；有效热解决了传统功率型热敏电阻依赖增大体积提高电流容量的技术瓶颈，具备突出的产业应用价值，同时改善热稳定性和耐久性。

本发明授权一种大电流功率型热敏芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大电流功率型热敏芯片，其特征在于：所述大电流功率型热敏芯片采用复合材料，所述复合材料包括主材和复合添加剂；所述主材中各组分重量百分比及性能作用为： 四氧化三锰Mn3O4：30～70%，作为主晶相形成剂，提供基本的尖晶石结构框架，保证材料的基本NTC特性； 氧化锌ZnO：10～30%，能够有效调节晶格常数，改善烧结活性，降低烧结温度； 氧化铜CuO：8～20%，作为助烧结剂，促进致密化过程，提高材料密度； 四氧化三钴Co3O4：1～10%，能够有效调节材料的B值和电阻率，改善电性能稳定性； 所述复合添加剂占主材重量的1～10%；所述复合添加剂中各组分重量百分比及掺杂协同作用为： 氧化铝Al2O3：10～25%，作为晶粒生长抑制剂，细化晶粒，增加晶界数量，优化电阻特性； 五氧化二铌Nb2O5：10～20%，作为受主掺杂，调节晶界势垒高度，改善非线性电学特性； 三氧化二铁Fe2O3：20～35%，作为施主掺杂，与Nb2O5形成补偿掺杂效应，稳定材料电阻温度特性，使芯片的电性能对外界环境变化和长时间作业环境下老化的敏感性大大降低； 碳化硅SiC：20～40%，作为高导热相起到导热通道的作用，能有效防止热失控，提高材料的热导率，加速热量散发，降低工作温度。

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