南昌凯捷半导体科技有限公司王苏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯捷半导体科技有限公司申请的专利一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511621258.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法。该反极性LED外延片从下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、第一折射率缓变层、N型限制层、第二折射率缓变层、N侧波导层、多量子阱发光层、P侧波导层、第三折射率缓变层、P型限制层、过渡层、高光滑度GaP镜面层。本发明通过提出折射率缓变层、高光滑度GaP镜面层的设计，不仅可减少预反应化合物导致折射率突变引发的内反射损耗，而且可制备具有低粗糙度表面的GaP材料，从而双向提升反极性LED的光提取效率。
本发明授权一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光提取效率的反极性LED外延片，其特征在于，所述反极性LED外延片由下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、第一折射率缓变层、N型限制层、第二折射率缓变层、N侧波导层、多量子阱发光层、P侧波导层、第三折射率缓变层、P型限制层、过渡层、高光滑度GaP镜面层； 所述高光滑度GaP镜面层自下而上由低正向转速比GaP成核层、高正向转速比GaP退火层和高逆向转速比GaP窗口层组成； 所述低正向转速比GaP成核层生长时石墨小盘和石墨大盘都按逆时针转动，且石墨小盘自转速率与石墨大盘自转速率的比值为3:1； 所述高正向转速比GaP退火层生长时石墨小盘和石墨大盘都按逆时针转动，且石墨小盘自转速率与石墨大盘自转速率的比值为10:1； 所述高逆向转速比GaP窗口层生长时石墨小盘按逆时针自转但石墨大盘按顺时针自转，且石墨小盘自转速率与石墨大盘自转速率的比值为10:1。
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