汇能微电子技术(深圳)有限公司张志成获国家专利权
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龙图腾网获悉汇能微电子技术(深圳)有限公司申请的专利一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511235733.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法是由张志成;周岐;张建华;区树雄;张富强;蔡学江设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件和制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括半导体衬底、有源区和栅极区，有源区形成于半导体衬底的表面，栅极区位于有源区的上方；有源区内设置有漏极和源极，一侧的漏极通过正向金属电极电连接至芯片正面，正向金属电极位于栅极区内；另一侧的源极通过电极连接区与半导体衬底连通并形成良好的欧姆接触，半导体衬底的底部设置有衬底金属电极。本发明布局合理，结构紧凑，工艺成本低，相比Diodes的异质结构，减少主沟槽和场板沟槽两道掩膜步骤，避免了沟槽填充引起的应力与缺陷；集成度高，与Infineon的封装级源极底置相比，芯片内部直接实现源极互联，支持多器件堆叠设计，节省了焊盘、引线通道占用空间。
本发明授权一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于平面MOS工艺的源极向下MOS器件，其特征在于：包括半导体衬底1、有源区和栅极区，所述有源区形成于所述半导体衬底的表面，所述栅极区位于所述有源区的上方； 所述有源区内设置有漏极6和源极7，位于上方一侧的所述漏极6通过正向金属电极11电连接至芯片正面，所述正向金属电极11位于所述栅极区内；位于另一侧的所述源极7通过电极连接区3与所述半导体衬底1连通并形成良好的欧姆接触，所述电极连接区3位于半导体衬底1顶部设置的反型层2内； 所述半导体衬底1的底部设置有用于引出用的衬底金属电极13。
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