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龙图腾网获悉合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511039802.8，技术领域涉及：H10N30/30；该发明授权一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺是由弓冬冬;詹同舟;石彦立设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺，结构包括基底、功能层和TFT晶体管，基底具有相对的正面及背面；功能层设置在基底的正面，TFT晶体管设置在功能层的正面，工艺包括：在基底的正面生长功能层，在功能层的正面生长TFT晶体管。本发明将功能层设置于TFT晶体管与基底之间的功能层中，优化了声波在传感器内部的传播路径，减少了能量损失，显著提高了压电层的声波能量转换效率。同时通过PZT材料代替PVDF材料在基底上生长作为压电材料，利用PZT材料压电常数高，介电常数高的特点，使整个传感器具有高分辨率，高信噪比，高灵敏度，高穿透性的特点。

本发明授权一种基于TFT晶体管的超声波传感器及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于超声波传感器的制备工艺，其特征在于，其中基于TFT晶体管的超声波传感器，包括： 基底，所述基底具有相对的正面及背面； 功能层，所述功能层生长在所述基底的正面；以及 TFT晶体管，所述TFT晶体管生长在所述功能层正面； 其中，所述功能层中包括第一压电层； 所述制备工艺包括以下步骤：S1b，准备基底，所述基底具有相对的正面及背面，在所述基底的正面生长所述功能层； S2b，在所述基底的背面生长第三缓冲层； S3b，在所述第三缓冲层的背面生长第三压电层，并对所述第三压电层进行图形化；以及 S4b，在所述功能层的正面生长所述TFT晶体管并在所述TFT晶体管上做TGV，用于联通所述第三压电层与所述TFT晶体管以及联通所述功能层与所述TFT晶体管； 其中，所述制备工艺还包括以下步骤： S5b，在所述TFT晶体管的正面生长第二压电层并对所述第二压电层进行图形化，所述第二压电层与所述TFT晶体管之间通过通孔联通。

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