南京中旭电子科技股份有限公司马卫获国家专利权
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龙图腾网获悉南京中旭电子科技股份有限公司申请的专利耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121049556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511201465.8，技术领域涉及：G01R15/20；该发明授权耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法是由马卫;黄森;雷佳;李海杰设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法，属于电磁测量技术领域，其包括获取磁敏元件的工作温度参数和被测电流参数；利用非线性耦合函数进行运算，得到磁路控制指令；基于该指令，调节梯度复合磁芯，得到磁导率分布状态；当监测到外层材料温度值超过温度阈值时，驱动热致形变磁路开关发生形变动作；利用形变动作驱动可移动磁分路片切入主磁路，形成磁通分流路径；利用磁通分流路径的气隙区域激发涡流磁场，抑制磁饱和现象，输出稳定磁场信号。本发明采用梯度磁芯动态调节与热致物理分流、涡流抑制相结合的多级协同控制策略，能够有效抑制高温大电流下的磁饱和现象，并补偿测量漂移，显著提升磁敏元件的工作稳定性与精度。
本发明授权耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法在权利要求书中公布了：1.耐高温磁敏元件的大电流磁饱和抑制方法，其特征在于，所述方法包括： 获取磁敏元件的工作温度参数和被测电流参数，生成工况参数； 根据所述工况参数，利用非线性耦合函数进行运算，得到磁路控制指令； 基于所述磁路控制指令，调节内层高饱和磁密材料层与外层正温度系数磁阻材料层构成的梯度复合磁芯，得到磁导率分布状态； 当监测到所述外层正温度系数磁阻材料层的实时温度值超过温度阈值时，驱动热致形变磁路开关发生形变动作； 利用所述形变动作驱动可移动磁分路片切入主磁路，形成磁通分流路径； 利用所述磁通分流路径的气隙区域激发涡流磁场，抑制磁饱和现象，输出稳定磁场信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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